Las principales fundiciones de circuitos integrados han anunciado el inicio del proceso de escalado comercial para la tecnología de memoria magneto-resistiva de par de conmutación por espín (STT-MRAM). Este nuevo tipo de arquitectura de almacenamiento físico busca reemplazar a la memoria SRAM interna de los procesadores y a la DRAM convencional, ofreciendo velocidades de lectura y escritura extremadamente altas sin perder la información al apagar el equipo.

La STT-MRAM utiliza la orientación magnética del espín electrónico en lugar de la acumulación de carga eléctrica en condensadores para almacenar los bits de información. Esta propiedad evita las corrientes de fuga que sufren los componentes tradicionales a escalas inferiores a los tres nanómetros, lo que permite un ahorro energético masivo tanto en reposo como en pleno rendimiento computacional.

La adopción de esta memoria no volátil permitirá el diseño de ordenadores y servidores de arranque instantáneo que no requieran volcar constantemente datos desde el disco duro a la RAM. Los analistas del sector de la microelectrónica coinciden en que la llegada de la MRAM simplificará la arquitectura de las placas base, reduciendo el consumo energético en centros de procesamiento masivo de datos de manera radical.